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NTD6600N-001

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTD6600N-001
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 146mOhm @ 6A, 5V
Verlustleistung (Max.) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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