NTD4979N-35G
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NTD4979N-35G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | I-PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 16.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 837pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 53 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.36 | $0.35 | $0.35 |
Minimale: 1