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NTD4809NA-1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NTD4809NA-1G
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 13nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1456pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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