NTD23N03RT4G
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NTD23N03RT4G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 45mOhm @ 6A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 3.76nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 225pF @ 20V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Auf Lager 87 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1