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NSVMMUN2212LT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: NSVMMUN2212LT1G
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 246mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 22 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 60 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 7895 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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