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NSV60100DMTWTBG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: NSV60100DMTWTBG
Beschreibung: DUAL TRANSISTOR PNP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.27W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 NPN (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 155MHz
Lieferanten-Gerätepaket 6-WDFN (2x2)
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 100mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 500mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 3000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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