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NSTB60BDW1T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: NSTB60BDW1T1G
Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Active
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Basis-Teilenummer NSTB60B
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms
Frequenz - Übergang 140MHz
Lieferanten-Gerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 5876 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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