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NSTB1002DXV5T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: NSTB1002DXV5T1G
Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-553
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-553
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA, 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 40V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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