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NST857BDP6T5G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: NST857BDP6T5G
Beschreibung: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 350mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-963
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-963
Vce Sättigung (Max.) 700mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 220 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 45V

Auf Lager 8000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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