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NSS40302PDR2G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: NSS40302PDR2G
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 653mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Transistortyp NPN, PNP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Vce Sättigung (Max.) 115mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 180 @ 1A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 40V

Auf Lager 1952 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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