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NSS35200CF8T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: NSS35200CF8T1G
Beschreibung: TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 635mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Transistortyp PNP
Basis-Teilenummer NSS35200
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket ChipFET™
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 20mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 1.5A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 35V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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