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NSS12601CF8T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: NSS12601CF8T1G
Beschreibung: TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 830mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer NSS12601
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 140MHz
Lieferanten-Gerätepaket ChipFET™
Vce Sättigung (Max.) 120mV @ 400mA, 4A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 1A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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