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NSBC123JDP6T5G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: NSBC123JDP6T5G
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 339mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-963
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer NSBC1*
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket SOT-963
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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