NSBC123JDP6T5G
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Datenblatt: | NSBC123JDP6T5G |
Beschreibung: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 339mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-963 |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Basis-Teilenummer | NSBC1* |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
Frequenz - Übergang | - |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-963 |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 47kOhms |
Vce Sättigung (Max.) | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 80 @ 5mA, 10V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 72 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.06 | $0.06 | $0.06 |
Minimale: 1