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NSBA123TDP6T5G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Datenblatt: | NSBA123TDP6T5G |
| Beschreibung: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 408mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-963 |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Basis-Teilenummer | NSBA1* |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-963 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | - |
| Vce Sättigung (Max.) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 160 @ 5mA, 10V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 95 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.10 | $0.10 | $0.10 |
Minimale: 1
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