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NSBA115TF3T5G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: NSBA115TF3T5G
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 254mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-1123
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer NSBA1*
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SOT-1123
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 160 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 73 pcs

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