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NSB9435T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: NSB9435T1G
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 720mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Frequenz - Übergang 110MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Vce Sättigung (Max.) 550mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3A
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 125 @ 800mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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