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NJVMJD122T4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: NJVMJD122T4G
Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1.75W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistortyp NPN - Darlington
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 4MHz
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Vce Sättigung (Max.) 4V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 4A, 4V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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