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NJVBDX53C

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: NJVBDX53C
Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 65W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN - Darlington
Basis-Teilenummer BDX53
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 2V @ 12mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 750 @ 3A, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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