Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
NGTD30T120F2WP
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | NGTD30T120F2WP |
| Beschreibung: | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Bulk |
| Eingabetyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Testbedingung | - |
| Schalten der Energie | - |
| TD (ein/aus) bei 25°C | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 97 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.29 | $2.24 | $2.20 |
Minimale: 1
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