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NGTB30N120L2WG
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | NGTB30N120L2WG |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 60A 534W TO247 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 310nC |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 534W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Testbedingung | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 116ns/285ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 450ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 60A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 55 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.80 | $8.62 | $8.45 |
Minimale: 1
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