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NGTB20N120IHWG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB20N120IHWG
Beschreibung: IGBT 20A 1200V TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 150nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 341W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 480µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C -/170ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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