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NGTB15N60S1EG
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | NGTB15N60S1EG |
| Beschreibung: | IGBT 600V 30A 117W TO220-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 88nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 117W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Testbedingung | 400V, 15A, 22Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 550µJ (on), 350µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 65ns/170ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 15A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 270ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 30A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 92 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.97 | $1.93 | $1.89 |
Minimale: 1
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