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NGTB15N60EG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB15N60EG
Beschreibung: IGBT 600V 30A 117W TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 80nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 117W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Testbedingung 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Schalten der Energie 900µJ (on), 300µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 78ns/130ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.95V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr) 270ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 69 pcs

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