NGTB03N60R2DT4G
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | NGTB03N60R2DT4G |
Beschreibung: | IGBT 9A 600V DPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 17nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 49W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Testbedingung | 300V, 3A, 30Ohm, 15V |
Schalten der Energie | 50µJ (on), 27µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 27ns/59ns |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3A |
Reverse Recovery Time (trr) | 65ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 9A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 59 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1