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NGTB03N60R2DT4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB03N60R2DT4G
Beschreibung: IGBT 9A 600V DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 17nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 49W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 300V, 3A, 30Ohm, 15V
Schalten der Energie 50µJ (on), 27µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 27ns/59ns
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr) 65ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 9A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 12A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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