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NDD60N550U1T4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NDD60N550U1T4G
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 94W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 540pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 54 pcs

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