NDD60N360U1-35G
Hersteller: | ON Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NDD60N360U1-35G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 114A IPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 114W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | I-PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 26nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 790pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 69 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1