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NDC632P

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NDC632P
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) -8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 140mOhm @ 2.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SuperSOT™-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 550pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V

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