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NCV1413BDR2G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: NCV1413BDR2G
Beschreibung: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max -
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Transistortyp 7 NPN Darlington
Basis-Teilenummer NCV1413
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket 16-SOIC
Vce Sättigung (Max.) 1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 350mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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