Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
NCV1413BDR2G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt: | NCV1413BDR2G |
| Beschreibung: | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Transistortyp | 7 NPN Darlington |
| Basis-Teilenummer | NCV1413 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | 16-SOIC |
| Vce Sättigung (Max.) | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 1000 @ 350mA, 2V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 86 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.18 | $0.18 | $0.17 |
Minimale: 1
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