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MMBTH10LT3G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: MMBTH10LT3G
Beschreibung: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 225mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer MMBTH10
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 650MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Rauschfigur (dB-Typ f) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 60 @ 4mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 25V

Auf Lager 10000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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