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MMBTA14LT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MMBTA14LT1G
Beschreibung: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 225mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Darlington
Basis-Teilenummer MMBTA14
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 125MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Vce Sättigung (Max.) 1.5V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 300mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 20000 @ 100mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

Auf Lager 36000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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