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MJF6668G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJF6668G
Beschreibung: TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Transistortyp PNP - Darlington
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FP
Vce Sättigung (Max.) 3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 3000 @ 3A, 4V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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