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MJE18008G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJE18008G
Beschreibung: TRANS NPN 450V 8A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie SWITCHMODE™
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 125W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 13MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 700mV @ 900mA, 4.5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 14 @ 1A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 450V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.53 $1.50 $1.47
Minimale: 1

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