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MJE18002G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJE18002G
Beschreibung: TRANS NPN 450V 2A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie SWITCHMODE™
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 50W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 13MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 14 @ 200mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 450V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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