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MJD44H11-1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJD44H11-1G
Beschreibung: TRANS NPN 80V 8A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.75W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer MJD44H11
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 85MHz
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 400mA, 8A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 4A, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

Auf Lager 953 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.63 $0.62 $0.61
Minimale: 1

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