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MJD31CT4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJD31CT4G
Beschreibung: TRANS NPN 100V 3A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.56W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer MJD31
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 3MHz
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Vce Sättigung (Max.) 1.2V @ 375mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3A
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 10 @ 3A, 4V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 56304 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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