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MJD253-1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJD253-1G
Beschreibung: TRANS PNP 100V 4A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.4W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistortyp PNP
Basis-Teilenummer MJD253
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 40MHz
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Vce Sättigung (Max.) 600mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 200mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 821 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.75 $0.74 $0.72
Minimale: 1

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