Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MJD122G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | MJD122G |
| Beschreibung: | TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.75W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Basis-Teilenummer | MJD122 |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 4MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
| Vce Sättigung (Max.) | 4V @ 80mA, 8A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 8A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 1000 @ 4A, 4V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 100V |
Auf Lager 3757 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.63 | $0.62 | $0.61 |
Minimale: 1
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