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MJ11030G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJ11030G
Beschreibung: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tray
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 300W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-204AE
Transistortyp NPN - Darlington
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-3
Vce Sättigung (Max.) 3.5V @ 500mA, 50A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50A
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 25A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 90V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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