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MJ11015G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJ11015G
Beschreibung: TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tray
Teilstatus Active
Leistung - Max 200W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-204AA, TO-3
Transistortyp PNP - Darlington
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang 4MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-204 (TO-3)
Vce Sättigung (Max.) 4V @ 300mA, 30A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 20A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 626 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.43 $7.28 $7.14
Minimale: 1

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