Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MJ11012G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | MJ11012G |
| Beschreibung: | TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 200W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-204AA, TO-3 |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 4MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-204 (TO-3) |
| Vce Sättigung (Max.) | 4V @ 300mA, 30A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 30A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 1000 @ 20A, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 60V |
Auf Lager 68 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $7.28 | $7.13 | $6.99 |
Minimale: 1
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