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MBT35200MT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MBT35200MT1G
Beschreibung: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 625mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Transistortyp PNP
Basis-Teilenummer MBT35200
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Vce Sättigung (Max.) 310mV @ 20mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 1.5A, 1.5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 35V

Auf Lager 6260 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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