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KSD363YTU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: KSD363YTU
Beschreibung: TRANS NPN 120V 6A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 40W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer KSD363
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 10MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 100mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.41 $0.40 $0.39
Minimale: 1

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