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HGTP7N60A4-F102

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTP7N60A4-F102
Beschreibung: N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Eingabetyp Standard
Gate Charge 60nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 125W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Schalten der Energie 55µJ (on), 150µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 11ns/100ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 34A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 56A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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