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HGTP5N120BND
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | HGTP5N120BND |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 53nC |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Leistung - Max | 167W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Testbedingung | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 22ns/160ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 21A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 99 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.29 | $1.26 | $1.24 |
Minimale: 1
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