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HGTP12N60C3D

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTP12N60C3D
Beschreibung: IGBT 600V 24A 104W TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 48nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 104W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Testbedingung -
Basis-Teilenummer HGTP12N60
Schalten der Energie 380µJ (on), 900µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 24A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 96A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.87 $3.79 $3.72
Minimale: 1

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