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HGTP10N120BN
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | HGTP10N120BN |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Leistung - Max | 298W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Testbedingung | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 23ns/165ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 35A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 63 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.77 | $1.73 | $1.70 |
Minimale: 1
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