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HGTG30N60C3D

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTG30N60C3D
Beschreibung: IGBT 600V 63A 208W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 162nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 208W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung -
Basis-Teilenummer HGTG30N60
Schalten der Energie 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 63A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 252A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 844 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.84 $7.68 $7.53
Minimale: 1

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