HGTG30N60B3D
Hersteller: | ON Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | HGTG30N60B3D |
Beschreibung: | IGBT 600V 60A 208W TO247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 170nC |
Teilstatus | Not For New Designs |
Leistung - Max | 208W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Testbedingung | 480V, 30A, 3Ohm, 15V |
Basis-Teilenummer | HGTG30N60 |
Schalten der Energie | 550µJ (on), 680µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 36ns/137ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 60A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 1534 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$5.43 | $5.32 | $5.21 |
Minimale: 1