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HGTG30N60B3D

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTG30N60B3D
Beschreibung: IGBT 600V 60A 208W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 170nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 208W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Basis-Teilenummer HGTG30N60
Schalten der Energie 550µJ (on), 680µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 36ns/137ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 55ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 220A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 1534 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.43 $5.32 $5.21
Minimale: 1

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