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HGTG18N120BND

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTG18N120BND
Beschreibung: IGBT 1200V 54A 390W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 165nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 390W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Schalten der Energie 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 23ns/170ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 54A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 884 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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