Image is for reference only , details as Specifications

HGTG11N120CND

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTG11N120CND
Beschreibung: IGBT 1200V 43A 298W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 100nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 298W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 950µJ (on), 1.3mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 23ns/180ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A
Reverse Recovery Time (trr) 70ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 43A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 208 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.52 $3.45 $3.38
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRGB4056DPBF
Infineon Technologies
$3.41
FGH40N60SMDF
ON Semiconductor
$3.37
IRG4IBC30WPBF
Infineon Technologies
$3.26
HGTP20N60A4
ON Semiconductor
$3.14
ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor
$3.02